三星发布zHBM和zNAND-O 展示新一代AI存储技术
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2026-08-05 20:04:21
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【CNMO科技消息】近日,三星参加美国加州举办的“未来存储与内存会议”(FMS 2026)。大会上公司发布了最新AI内存产品组合及技术路线图,包括zHBM与zNAND-O概念模型预览,展出约30项内存与存储技术。

三星zHBM模型

存储架构层面,三星推出了zHBM。其采用突破性设计,将HBM垂直堆叠于AI加速器正上方,而非传统并列摆放。通过最小化AI处理器与存储器之间的数据传输距离,zHBM旨在提供更高带宽与更优能效,满足大规模AI训练与推理所需的超高速数据处理需求。

此外,基于zHBM新一代接口的系统性能最高可达到HBM5的8倍,能效最高提升3倍,热阻降低一半以上,有助于提升高性能AI系统运行稳定性。同时,新品还支持客户定制设计,从而扩展内存容量并提升加速器性能。

zHBM

存储方案层面,三星同步推出zNAND-O,这是一款面向端侧AI应用的高性能NAND闪存解决方案,凭借TSV堆叠技术实现4层与8层堆叠,具备高空间利用率、增强I/O性能与低延迟特性,可支持实时且数据密集型的AI应用。

zNAND-O

据CNMO科技了解,三星还首次展示了V10 BV-NAND,其采用400层以上堆叠结构,存储密度较前代V9提升约58%。此外,HBM4E、HBM5模型、LPDDR5X-PIM及企业级SSD PM1763、BM1773等产品也已曝光。

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