晶合集成申请制造双浅沟道隔离方法专利，解决氮化硅残留问题
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2026-02-24 12:01:58
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构”的专利，公开号CN121568565A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构；其中，所述方法包括：在选中的半导体衬底上，依次沉积衬底氧化层、衬底氮化硅层、牺牲层、底部抗反射涂层和光刻胶，并通过光刻工艺形成图案化的牺牲层；在图案化的牺牲层上依次沉积预设厚度的研磨阻挡层和第一电介质层，通过化学机械研磨工艺处理第一电介质层并通过刻蚀工艺去除研磨阻挡层，先后形成逻辑区的沟道以及像素区的沟道；沉积第二电介质层并化学机械研磨，最终得到双浅沟道隔离结构。本发明公开的技术方案，解决了现有技术中存在的产生氮化硅残留以及逻辑区域、像素区域的氧化硅高度不同的技术问题。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1632条，此外企业还拥有行政许可22个。
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来源：市场资讯
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