SK海力士研发全新存储技术
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2025-11-12 14:21:31
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据闪德资讯获悉，SK海力士正在研发结合移动DRAM和NAND的高带宽存储（HBS）技术，可提高智能手机和平板电脑等移动设备的AI性能。
通过垂直扇出（VFO）工艺，将多达16层DRAM与NAND闪存三维堆叠，实现高带宽、低延迟的数据访问。
相比HBM使用的硅通孔（TSV）技术，VFO无需穿孔，成本更低、良率更高、布线更短、I/O密度更大。
HBS可直接与手机芯片组一起封装，再安装到设备主板上。
适用于实时图像识别、语音交互及大模型推理等场景，有望解决“存储墙”问题。
HBS显现出替代eMMC/UFS的潜力，或成为下一代智能终端的关键竞争力。
闪德资讯，一个聚焦关注存储产业供应链和趋势变化的垂直媒体。
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