9月1日，在第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）期间，中微公司宣布推出6款全新自主研发的高端微观加工设备。

中微公司集团副总裁陶珩向上海证券报记者表示，此次发布的多款设备均为自主研发，这些产品覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）、金属薄膜沉积以及碳化硅外延等多个技术领域。

“这几款产品可应用于先进逻辑、先进存储、先进封装和第三代半导体等多个方向，充分体现了中微公司向平台化设备企业迈进的坚实步伐。”陶珩说。

六款新品精准“卡位”关键环节

中微公司本次发布的6款新品，分布在刻蚀、薄膜沉积和碳化硅外延三大领域，紧密对接先进存储、先进逻辑和第三代半导体的制造需求。

首款Primo XD-RIE™极高深宽比刻蚀机，针对3D NAND和DRAM制程向更高堆叠层数演进时的刻蚀瓶颈而设计，在提升性能的同时兼顾减排，确保极端工况下的长期稳定量产。

在薄膜沉积方面，Performo QuaStar®系列一次性推出两款PECVD设备：QuaStar® ON和QuaStar® GE。

针对超高层3D NAND字线填充，公司发布Prefima Unicore™AM原子层沉积金属钼设备。Preforma Uniflash® SPTi/TiN金属薄膜集成系统，可支撑先进逻辑和存储中的关键环节，产出效率业界领先，核心指标已达国际一流水平，标志着中微公司在金属薄膜赛道成功开辟新版图。

在泛半导体领域，PRISMO PDS8®碳化硅外延设备，为公司在新材料方向的拓展奠定了基础。

半年内两度“上新”

平台化战略加速落地

这是中微公司半年内第二次高密度发布新品。今年3月，在SEMICON China 2026期间，公司已推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺的新产品，包括新一代ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™、高选择性刻蚀机Primo Domingo™、Smart RF Match智能射频匹配器，以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx®。

密集上新的背后，是研发效率的系统性提升。2026年半年报显示，公司在研项目涵盖6大类设备、超过20款新设备，新产品开发周期已从过去的3到5年缩短至两年以内。公司董事长尹志尧此前透露，开发新产品时，仅需针对性开发30%至40%的特定部分，其余60%至70%的通用技术与结构组件已实现模块化和可复用。

外延并购也在同步补齐平台版图。公开信息显示，公司完成了对杭州众硅的控股权收购，将化学机械抛光（CMP）设备纳入产品体系，实现了从“干法”工艺向“干法+湿法”整体解决方案的跨越。8月25日，公司宣布先进薄膜设备累计出货突破500个反应台，薄膜业务已成长为又一核心增长板块。此外，公司拟投资35亿元建设临港产业化基地二期项目，聚焦刻蚀、量检测、薄膜沉积等优势产品。

中微公司资深副总裁丛海对上证报记者表示，目前公司的50多种设备产品已经覆盖了超过30%前道集成电路设备产品。未来5年，公司将通过自主开发与外延并购，覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场，成为全球领先的高端设备平台型公司。

据介绍，自2004年成立以来，中微公司已开发出54种高端半导体设备，包括26种高能和低能等离子体刻蚀机、24种各类薄膜设备，以及化学机械抛光设备和量检测设备。截至2026年6月底，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产；公司自2012年起连续14年保持年均销售增长率超过35%，人均年销售额达450万元。

作者：邓贞