原创 长鑫存储正加速布局DDR6
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2026-07-20 14:13:53
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7月20日消息,据韩国媒体《ETNews》报导,为了确保从DDR5到DDR6的过渡顺畅且高效,中国DRAM大厂长鑫存储(CXMT)已引进新的制造商,考虑放弃现有用于DDR4与DDR5的生产模式,转而采用面板级(Panel-based)制程。

业界预计,DDR6内存将于2028年至2029年间迈入商业化阶段。然而,韩媒传出消息称,长鑫存储及其供应链已提前展开布局,企图赶在三星电子与SK海力士进一步巩固市场垄断地位之前抢占先机。

报道称,韩国封装基板及导线架大厂海成DS(Haesung DS)将作为长鑫存储供应链的新成员,已于2026年第一季通过客户针对DDR5封装基板的最新质量验证。

过去DDR4与DDR5的生产,主要依赖一种名为“Reel-to-Reel”的高性价比制程。然而到了DDR6阶段,海成DS开始采用全新的面板级制程。该方法能支持下一代内存所需的多层设计,协助维持生产效率并避免技术瓶颈。理论上,现有的“Reel-to-Reel”制程虽然也能用于DDR6制造,但随着电路层数增加,其获利能力与生产效率也会下降,这使面板级制程成为更为稳健的选择。

另外,近期传闻显示,苹果、戴尔、惠普等美国科技大厂都有考虑采用长长鑫存储的DRAM芯片,并已经开始内部测试。这无疑也将成为长鑫存储加速DDR6研发的重要动力。

编辑:芯智讯-浪客剑

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