拓荆科技申请半导体器件加工方法专利，能缩小图形的特征尺寸_科技资讯

拓荆科技申请半导体器件加工方法专利，能缩小图形的特征尺寸

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2026-03-15 01:27:05

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国家知识产权局信息显示，拓荆科技（上海）有限公司申请一项名为“半导体器件的加工方法和半导体器件”的专利，公开号CN121665924A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件的加工方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。其中加工方法包括：提供基体层；在基体层之上进行第一图形化处理，以形成第一图形，第一图形包括间隔设置的多个芯轴；在每个芯轴的顶面选择性沉积硬掩膜层；在每个芯轴的侧面选择性沉积第一侧墙；去除每个芯轴顶面的硬掩膜层；去除每个芯轴，以在基体层之上形成第二图形；在带有所述第二图形的基体层上进行第二图形化处理，以形成目标图形。通过三重图形化，增加了在基体层上形成图形的密度，并减小了基体层上相邻两个图形的间距，进而能缩小图形的特征尺寸，满足半导体器件进一步微缩的需求。

天眼查资料显示，拓荆科技（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本143253.79万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆科技（上海）有限公司参与招投标项目38次，专利信息386条，此外企业还拥有行政许可40个。

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来源：市场资讯

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