昊石新材料申请CVD法碳化硅涂层制备方法专利，提升涂层致密性
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2026-03-12 11:08:15
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国家知识产权局信息显示，昊石新材料科技南通有限公司申请一项名为“一种CVD法碳化硅涂层的制备方法”的专利，公开号CN121629355A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种CVD法碳化硅涂层的制备方法，涉及涂层制备领域，其包括以下步骤：将基体超声清洗、干燥，得到清洗后的基体；将清洗后的基体进行热解碳沉积，得到具有热解碳层的基体；对具有热解碳层的基体进行活化处理，得到活化基体；通入混合反应气体对活化基体进行沉积处理，得到具有碳化硅涂层的基体；对具有碳化硅涂层的基体进行热处理和钝化处理，完成CVD法碳化硅涂层的制备。本申请提升了涂层的致密性、结合强度和稳定性，碳化硅涂层致密、均匀、无裂纹，在复杂形状基体上具有良好的覆盖性。
天眼查资料显示，昊石新材料科技南通有限公司，成立于2016年，位于南通市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本4135.7713万人民币。通过天眼查大数据分析，昊石新材料科技南通有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可4个。
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来源：市场资讯
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