超芯星申请免外延碳化硅一体化衬底专利，提高生产效率和成品良率_科技资讯

超芯星申请免外延碳化硅一体化衬底专利，提高生产效率和成品良率

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2026-01-16 15:40:47

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国家知识产权局信息显示，江苏超芯星半导体有限公司申请一项名为“一种免外延的碳化硅一体化衬底及其制备方法”的专利，公开号CN121335172A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种免外延的碳化硅一体化衬底及其制备方法。所述碳化硅一体化衬底的结构为以下任意一种；层叠结构：由N掺杂碳化硅底层和N掺杂碳化硅顶层层叠构成，所述N掺杂碳化硅顶层的电阻率大于所述N掺杂碳化硅底层的电阻率；梯度结构：沿厚度方向N掺杂浓度呈梯度变化的碳化硅一体化衬底，使得碳化硅一体化衬底的电阻率沿厚度方向梯度变化；均匀结构：具有均匀N掺杂浓度的碳化硅一体化衬底，所述碳化硅一体化衬底的电阻率为0.1‑50Ω·cm。本发明提供的碳化硅一体化衬底可以同时满足衬底与外延层的复合电学性能，省去了下游外延工艺，避免了外延层生长时存在的问题，简化了工艺，降低了成本，提高了生产效率和成品良率。

天眼查资料显示，江苏超芯星半导体有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1565.4879万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏超芯星半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息44条，专利信息91条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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