思瑞浦申请半导体器件制造方法专利，提升半导体器件的可靠性_科技资讯

思瑞浦申请半导体器件制造方法专利，提升半导体器件的可靠性

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2026-01-08 12:21:38

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国家知识产权局信息显示，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“半导体器件制造方法”的专利，公开号CN121285279A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件制造方法。该半导体器件制造方法包括：提供半导体主体，半导体主体包括衬底，位于衬底上的外延层和位于衬底与外延层之间的埋层，衬底和外延层具有第一掺杂类型，埋层具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；形成第一沟槽结构，第一沟槽结构自半导体主体表面延伸至衬底以与衬底电连接；在半导体主体中形成器件区域；至少在器件区域的部分表面处形成氧化隔离结构；以及在形成氧化隔离结构后形成第二沟槽结构，第二沟槽结构自半导体主体表面延伸至埋层以与埋层电连接。通过后移第二沟槽结构的形成步骤，可以有效减少第二沟槽结构在后续流程中的损耗，利于避免其内部的掺杂外扩，从而提升半导体器件的可靠性。

天眼查资料显示，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本13780.1498万人民币。通过天眼查大数据分析，思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息317条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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