【深圳商报讯】（首席记者 王海荣）10月16日，记者从国家第三代半导体技术创新中心（深圳）（以下简称“深圳综合平台”）获悉，今年以来，深圳综合平台完成了技术平台1.0，在衬底与外延技术、SiC平面栅与沟槽栅技术、GaN外延与器件技术等方面取得了重大突破。

其中在衬底加工工艺方面，深圳综合平台已率先实现碳化硅激光剥离技术和效率突破，实现8英寸单片总损耗＜75微米，切割时间≤20分钟，成本降低26%，并且通过外延、器件及可靠性验证，整体性能达到国际领先。该技术可以帮助产业链实现进一步提质、降本、增效。在碳化硅外延技术方面，瞄准新型智能电网、轨道交通等国家战略需求，开展特高压厚膜、超结外延研究。突破了200微米超厚膜缺陷控制、少子寿命提升难题，超厚膜外延达到国际先进水平，并首次实现商用4公式偏角4H-SiC衬底上3C-SiC外延高质量生长，有望解决碳化硅功率器件栅氧迁移率低的难题。

此外，深圳综合平台自主设计了业界首台多功能超宽禁带材料和万伏大功率器件综合表征系统，基于自研装备，在超宽禁带领域利用国产材料制备了国内首个氮化铝/富铝镓氮HMET器件等。

功率半导体是现代电力电子器件、射频器件的高潜力材料，与集成电路同等重要，其核心竞争力在于材料和器件结构的有机结合，尤其适合应用在高压、高频、大功率领域。以SiC、GaN为代表的第三代半导体，以及以氧化镓、氮化铝、金刚石等为代表的第四代半导体，未来应用前景十分广泛。

据了解，自2021年起，根据科技部统一部署，深圳市开始承接国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台的建设任务。在2022年，设立深圳平湖实验室作为建设和运营主体。作为全球首个集科研和中试于一体的8英寸先进功率半导体开放共享平台，深圳综合平台具备全链条的研发到产业化能力，现有研究中心、中试中心、分析检测中心和成果转化中心四大中心。深圳综合平台计划进一步提升功率密度和器件可靠性，同时在第四代器件方面取得突破。

正在举行的2025湾区半导体产业生态博览会（简称“湾芯展”），成为行业机构发布新成果的重要平台。在本届湾芯展上，深圳综合平台与功率半导体材料、器件、工艺及应用等多个领域的14家产业链伙伴达成合作签约，进一步完善产业生态布局，推动技术成果加速转化。与此同时，完成了国家第三代半导体技术创新中心EDA设计公共平台的签约、揭牌与授牌仪式，标志着该平台正式启用。