来源：至顶网

Quinas Technology公司在其ULTRARAM通用计算机内存批量生产方面完成了重要的第一步。ULTRARAM结合了DRAM的高速度、NAND的非易失性以及低能耗特性。

IQE公司成功将Quinas创始人在兰卡斯特大学首次开发的化合物半导体层技术扩展到工业化工艺。这个为期一年的项目开发了先进的锑化镓和锑化铝外延技术，被誉为可扩展存储设备领域的世界首创。外延是在晶体衬底上以受控方式生长晶体层的工艺，沉积层会采用衬底的晶体结构。

IQE首席执行官Jutta Meier表示："我们成功实现了为ULTRARAM开发可扩展外延工艺的目标，这是朝着封装芯片工业化生产迈出的重要里程碑。这个项目为在英国将下一代化合物半导体材料产业化提供了独特机会。"

IQE已开发出制造方法，能够在工业平台上使用外延技术生长ULTRARAM的化合物半导体（锑化镓和锑化铝）结构。该项目获得了英国创新署的资助。

Quinas首席执行官兼联合创始人James Ashforth-Pook强调了英国半导体主权的重要性，他说："这个项目标志着从大学研究到商业内存产品转化过程中的转折点。借助IQE的工业化能力和英国创新署的支持，我们在构建内存主权能力方面迈出了关键一步——内存是英国半导体技术栈中最具战略重要性但代表性不足的细分领域。"

Quinas和IQE目前正在探索与晶圆厂和战略合作伙伴进一步推进工业化和试点生产。

Ashforth-Pook认为："ULTRARAM在人工智能、移动设备和数据中心应用中显著提升能效的潜力，将使英国在下一代内存创新领域处于领先地位。"

如果ULTRARAM取代需要持续刷新的DRAM，这部分电力消耗将被完全消除。Quinas表示，其最小设备能够"在100纳秒内以低于1飞焦耳的能量进行切换，这比任何已知的存储设备都要低。作为'通用内存'的候选技术，ULTRARAM有潜力从根本上改变整个数字技术格局，从小型自主物联网设备到智能手机、笔记本电脑和数据中心。"

Quinas在7月获得了2025年世界知识产权组织信息通信技术初创企业类别奖项。该公司在四个国家持有五项已授权专利，另有八项正在申请中。

评论分析显示，Quinas的ULTRARAM是一项可能取代DRAM和NAND的颠覆性技术。考虑到基础的DRAM和NAND供应链，DRAM制造商和NAND制造商为嵌入式、移动、笔记本、桌面和服务器处理系统的终端设备供应商提供产品。Quinas需要进入这个供应链，让终端设备供应商使用其ULTRARAM替代DRAM和NAND，这将需要硬件、操作系统和系统级软件的改变。

如果Quinas与DRAM和NAND供应商合作，就能利用该组织的信誉和供应链联系向戴尔、惠普企业、联想等终端设备制造商展示和提供其技术。

如果Quinas决定独立发展，那么面临的任务会更加艰巨，需要专注于小型且可管理的市场领域，比如可以与系统软件供应商合作的嵌入式设备领域。

如果Quinas能够证明工业规模制造的可行性和可用产量，并展示出远超DRAM+NAND的系统级性能且能耗更低，那么ULTRARAM就有很大发展前景。但关键问题在于——这也是阻止Optane发挥潜力并将MRAM、ReRAM等新兴存储技术限制在利基市场的重大障碍——必须展示出规模化盈利制造的可行路径。

Q&A

Q1：ULTRARAM有什么特殊优势？

A：ULTRARAM结合了DRAM的高速度、NAND的非易失性以及低能耗特性。它能在100纳秒内以低于1飞焦耳的能量进行切换，比任何已知存储设备的能耗都要低，有潜力从根本上改变从物联网设备到数据中心的整个数字技术格局。

Q2：ULTRARAM技术目前的产业化进展如何？

A：Quinas Technology已与IQE公司合作完成了工业化工艺的第一步，成功开发了可扩展的锑化镓和锑化铝外延技术。目前正与晶圆厂和战略合作伙伴探索进一步工业化和试点生产，这标志着从大学研究向商业产品转化的重要转折点。

Q3：ULTRARAM面临哪些商业化挑战？

A：主要挑战是需要进入现有的DRAM和NAND供应链，这要求终端设备制造商在硬件、操作系统和系统级软件方面做出改变。关键是要证明工业规模制造的可行性和可用产量，并展示出规模化盈利制造的可行路径。