上海新阳申请锗硅刻蚀液专利，能够选择性刻蚀硅
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2025-07-01 22:40:55
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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，上海新阳半导体材料股份有限公司申请一项名为“锗硅刻蚀液”的专利，公开号CN120230554A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开一种锗硅刻蚀液。本发明的刻蚀液，所述刻蚀液包含如下质量分数的组分：1‑10％有机碱、0.001‑0.1％非离子表面活性剂、5‑30％有机溶剂及水，各组分质量分数之和为100％。本发明的刻蚀液能够选择性刻蚀硅，能够对硅的蚀刻速率较高，对硅‑锗合金、氧化硅和氮化硅的蚀刻速率较低，且硅/硅‑锗合金选择比性高，以满足工艺上的需求。
天眼查资料显示，上海新阳半导体材料股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31338.1402万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新阳半导体材料股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目71次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息387条，此外企业还拥有行政许可104个。
来源：金融界
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